三星的 V-NAND 手艺取得了长足的高出开云(中国)KAIYUN·官方网站，在短短十多年间从 24 层发展到近 300 层。 固然该公司在进一步推广方面靠近着弘远挑战，但它仍然有信心在 NAND 芯片中装置至少 400 层闪存单位。 若是一切按打算进行，量产将于来岁年底运行。 三星的第九代280层V-NAND闪存最近才运行量产，首批商用居品瞻望将于来岁上架。 不外，据《韩国经济日报》报谈，该公司也曾为其第 10 代 400 层 V-NAND 手艺设定了辜恩负义的谋略。 频年来，该鸿沟的竞争愈
三星的 V-NAND 手艺取得了长足的高出开云(中国)KAIYUN·官方网站，在短短十多年间从 24 层发展到近 300 层。 固然该公司在进一步推广方面靠近着弘远挑战，但它仍然有信心在 NAND 芯片中装置至少 400 层闪存单位。 若是一切按打算进行，量产将于来岁年底运行。
三星的第九代280层V-NAND闪存最近才运行量产，首批商用居品瞻望将于来岁上架。 不外，据《韩国经济日报》报谈，该公司也曾为其第 10 代 400 层 V-NAND 手艺设定了辜恩负义的谋略。
频年来，该鸿沟的竞争愈演愈烈，主要原因是东谈主工智能垄断的需求不停增长，同期消耗者对更大容量、更实惠的闪存存储的需求也在不停增长。
三星现在占据 37% 的率先商场份额，但跟着好意思光、长江存储、SK 海力士和 Kioxia 等竞争敌手加快成就更高密度的 3D NAND，保合手这一地位正靠近越来越大的挑战。
SK Hynix 打算在 2025 年底运行分娩 400 层 NAND，瞻望在 2026 年上半年全面投产。 这促使也对准了相同的时间表，因为其较小的韩国竞争敌手在当年两年中得回了弘远的商场份额。
堆叠 400 层或更多层 NAND 并非易事，因为越过 300 层的堆叠也曾给早期原型居品的可靠性带来了挑战。 为了处分这个问题，三星打算聘用三层单位（TLC）架构和一种名为\"垂直粘合 NAND\"（BV NAND）的新手艺，这种手艺将存储单位和外围电路区别到不同的晶圆上，然后以垂直结构将它们粘合在沿途。
与外围单位（CoP）NAND 联想比较，这种次序还有助于三星达成更高的制造良率。 该公司称，其密度可达 28Gb/mm²，即每个裸片 1Tb (128GB)，仅略低于第九代四级单位 (QLC) 架构的密度。 此外，每引脚 5.6Gb/s 的数据传输速率比以前联想的 3.2Gb/s 最大传输速率有了权贵的性能提高。
表面上，明天三星固态硬盘的容量可达 16TB，延续读写速率接近 PCIe 5.0 x4 接口的极限。
三星将在行将于 2025 年 2 月举行的海外固态电路大会上更注意地先容这一前程广袤的新式 V-NAND 架构。
